El BS170 es un MOSFET de Canal N producido utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas patentada de onsemi. Este componente está diseñado para ofrecer baja resistencia en estado encendido mientras asegura un rendimiento de conmutación robusto, fiable y rápido. Es capaz de manejar hasta 500 mA de corriente de drenaje continua, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, particularmente aquellas que requieren bajo voltaje y baja corriente. Ejemplos incluyen control de pequeños servomotores, controladores de puerta de MOSFET de potencia y varias aplicaciones de conmutación.
Con un diseño de celda de alta densidad, el BS170 proporciona una baja RDS(ON), lo cual es beneficioso para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía. Su alta capacidad de corriente de saturación y funcionalidad de interruptor de pequeña señal controlado por voltaje lo convierten en una opción versátil para los diseñadores. Además, el BS170 se caracteriza por ser robusto y confiable, con alta capacidad de corriente de saturación, lo que lo convierte en una opción sólida para entornos exigentes.
Transistor
Los Transistores de Efecto de Campo (FET) como el BS170 son dispositivos semiconductores ampliamente utilizados en electrónica para conmutar y amplificar señales. El MOSFET de Canal N, un tipo de FET, está diseñado para conducir corriente entre los terminales de drenaje y fuente cuando se aplica un voltaje positivo al terminal de puerta. Esto hace que los MOSFET de Canal N sean ideales para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenaje-fuente (VDSS), el voltaje puerta-fuente (VGSS), la corriente de drenaje y la resistencia estática drenaje-fuente en estado encendido (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los voltajes y corrientes en una aplicación dada, así como su eficiencia y rendimiento térmico.
El BS170, con su bajo RDS(ON) y alta capacidad de corriente de saturación, es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente. Su diseño robusto y fiable asegura un rendimiento estable bajo condiciones variables. Los ingenieros también deben considerar las características térmicas del MOSFET, incluyendo la disipación máxima de potencia y la resistencia térmica, para asegurar una operación fiable dentro del rango de temperatura especificado.
En resumen, el MOSFET de Canal N BS170 ofrece un equilibrio de rendimiento, fiabilidad y eficiencia, lo que lo convierte en una opción atractiva para una variedad de aplicaciones. Su selección debe basarse en una evaluación exhaustiva de los requisitos eléctricos y térmicos de la aplicación.