El BS170 es un MOSFET de N-canal producido usando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas propietaria de onsemi. Este componente está diseñado para ofrecer baja resistencia en estado activo mientras asegura un rendimiento de conmutación rápido, robusto y fiable. Es capaz de manejar hasta 500 mA de corriente de drenaje continua, haciéndolo adecuado para una amplia gama de aplicaciones, particularmente aquellas que requieren baja tensión y baja corriente. Ejemplos incluyen control de pequeños motores servo, controladores de puerta de MOSFET de potencia y varias aplicaciones de conmutación.
Con su diseño de celda de alta densidad, el BS170 proporciona un bajo RDS(ON), lo cual es beneficioso para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía. Su capacidad de corriente de saturación alta y funcionalidad de conmutación de señal pequeña controlada por voltaje lo hacen una opción versátil para los diseñadores. Además, el BS170 se caracteriza como robusto y confiable, con una alta capacidad de corriente de saturación, lo que lo hace una elección sólida para entornos exigentes.
Transistor
Los transistores de efecto de campo (FETs) como el BS170 son dispositivos semiconductores ampliamente utilizados en la electrónica para conmutar y amplificar señales. El MOSFET de canal N, un tipo de FET, está diseñado para conducir corriente entre los terminales de drenaje y fuente cuando se aplica un voltaje positivo al terminal de puerta. Esto hace que los MOSFETs de canal N sean ideales para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje de drenaje a fuente (VDSS), el voltaje de puerta a fuente (VGSS), la corriente de drenaje y la resistencia de drenaje a fuente en estado estático (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los voltajes y corrientes en una aplicación dada, así como su eficiencia y rendimiento térmico.
El BS170, con su bajo RDS(ON) y alta capacidad de corriente de saturación, es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente. Su diseño robusto y confiable asegura un rendimiento estable bajo condiciones variables. Los ingenieros también deben considerar las características térmicas del MOSFET, incluyendo la máxima disipación de potencia y la resistencia térmica, para garantizar un funcionamiento confiable dentro del rango de temperatura especificado.
En resumen, el BS170 N-Channel MOSFET ofrece un equilibrio entre rendimiento, fiabilidad y eficiencia, lo que lo convierte en una opción atractiva para una variedad de aplicaciones. Su selección debe basarse en una evaluación exhaustiva de los requisitos eléctricos y térmicos de la aplicación.