BS170: N-Kanal MOSFET, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

BS170, onsemi'nin özel yüksek hücre yoğunluğu DMOS teknolojisi kullanılarak üretilen bir N-Kanal MOSFET'tir. Bu bileşen, düşük açık durum direnci sunarken sağlam, güvenilir ve hızlı anahtarlama performansı sağlamak üzere tasarlanmıştır. 500 mA'ye kadar sürekli drenaj akımı taşıyabilme yeteneği ile geniş bir uygulama yelpazesinde uygun hale gelir, özellikle düşük voltaj ve düşük akım gerektiren uygulamalar için uygundur. Örnekler arasında küçük servo motor kontrolü, güç MOSFET kapı sürücüleri ve çeşitli anahtarlama uygulamaları bulunur.

Yüksek yoğunluklu hücre tasarımı sayesinde, BS170 düşük bir RDS(ON) sağlar, bu da verimli güç yönetimi gerektiren uygulamalar için faydalıdır. Yüksek doygunluk akımı kapasitesi ve voltaj kontrollü küçük sinyal anahtarlama işlevselliği, tasarımcılar için çok yönlü bir seçenek haline getirir. Ayrıca, BS170, yüksek doygunluk akımı kapasitesi ile sağlam ve güvenilir olarak nitelendirilir, bu da onu zorlu ortamlar için sağlam bir seçenek yapar.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Dren-Kaynak Gerilimi (VDSS): 60V
  • Kapı-Kaynak Gerilimi (VGSS): ±20V
  • Dren Akımı - Sürekli (ID): 500mA
  • Dren Akımı - Darbeli: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • Statik Dren-Kaynak Açık-Direnç (RDS(ON)): 1.2Ω'den 5Ω'e
  • Kapı Eşik Gerilimi (VGS(th)): 0.8V'den 3V'e
  • Maksimum Güç Dağılımı: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • Çalışma ve Depolama Sıcaklık Aralığı: -55°C'den 150°C'ye

BS170 Veri Sayfası

BS170 veri sayfası (PDF)

Uygulamalar

  • Küçük servo motor kontrolü
  • Güç MOSFET kapı sürücüleri
  • Çeşitli anahtarlama uygulamaları

Kategori

Transistör

Genel bilgiler

Alan Etkili Transistörler (FET'ler) gibi BS170, elektronikte sinyalleri anahtarlama ve yükseltme için yaygın olarak kullanılan yarı iletken cihazlardır. N-Kanal MOSFET, bir pozitif voltaj kapı terminaline uygulandığında drenaj ve kaynak terminalleri arasında akım taşımak üzere tasarlanmış bir FET türüdür. Bu, N-Kanal MOSFET'leri yüksek verimlilikte anahtarlama uygulamaları için ideal hale getirir.

N-Kanal MOSFET seçerken, mühendisler drenaj-kaynak voltajı (VDSS), kapı-kaynak voltajı (VGSS), drenaj akımı ve statik drenaj-kaynak direnci (RDS(ON)) gibi parametreleri göz önünde bulundurmalıdır. Bu parametreler, MOSFET'in belirli bir uygulamadaki voltajları ve akımları yönetme yeteneğini, verimliliğini ve termal performansını belirler.

BS170, düşük RDS(ON) ve yüksek doygunluk akımı kapasitesi ile düşük voltaj, düşük akım uygulamaları için özellikle uygundur. Sağlam ve güvenilir tasarımı, değişen koşullar altında stabil performans sağlar. Mühendisler ayrıca, belirtilen sıcaklık aralığında güvenilir çalışmayı sağlamak için MOSFET'in termal özelliklerini, maksimum güç dağılımını ve termal direncini de göz önünde bulundurmalıdır.

Özetle, BS170 N-Kanal MOSFET, performans, güvenilirlik ve verimlilik arasında bir denge sunar, bu da onu çeşitli uygulamalar için çekici bir seçenek yapar. Seçimi, uygulamanın elektriksel ve termal gereksinimlerinin kapsamlı bir değerlendirmesine dayanmalıdır.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 4/10
  • Hobi: 8/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components