2N7000: N-Kanal MOSFET, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000, onsemi tarafından yüksek hücre yoğunluğu, DMOS teknolojisi kullanılarak geliştirilen N-Kanal MOSFET'tir. Bu bileşen, düşük açık durum direnci sunarken güvenilir ve hızlı anahtarlama performansı sağlamak üzere tasarlanmıştır. Düşük voltaj ve düşük akım gerektiren uygulamalar için uygundur, küçük servo motor kontrolü, güç MOSFET kapı sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamaları dahil.

Cihaz, düşük RDS(on) ile verimli bir güç yönetimi seçeneği sunan yüksek yoğunluklu hücre tasarımına sahiptir. Gerilim kontrollü küçük sinyal anahtarı olarak işlev görebilme yeteneği, çeşitli devre tasarımlarında onun çok yönlülüğünü artırır. 2N7000 serisi, performans ve dayanıklılık arayan tasarımcılar için tercih edilen bir seçimdir, sağlamlığı ve yüksek doyma akım kapasitesi ile bilinir.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Drenaj-Kaynak Voltajı (VDSS): 60V
  • Kapı-Kaynak Voltajı (VGSS): ±20V (Sürekli), ±40V (Tekrarlanmayan)
  • Maksimum Drenaj Akımı (ID): 200mA (Sürekli)
  • Güç Dağılımı (PD): 400mW
  • Termal Direnç, Bağlantı Noktasından Ortama (RθJA): 312.5°C/W
  • Kapı Eşik Voltajı (VGS(th)): 0.8V ila 3V
  • Statik Drenaj-Kaynak Açık Durum Direnci (RDS(on)): 1.2Ω ila 5Ω
  • Giriş Kapasitansı (Ciss): 20pF ila 50pF

2N7000 Veri Sayfası

2N7000 veri sayfası (PDF)

Uygulamalar

  • Küçük servo motor kontrolü
  • Güç MOSFET kapı sürücüleri
  • Çeşitli düşük voltaj, düşük akım anahtarlama uygulamaları

Kategori

Transistörler

Genel bilgiler

N-Kanal MOSFET'ler, elektronik devrelerde sinyalleri anahtarlama ve yükseltme amacıyla yaygın olarak kullanılan bir alan etkili transistör (FET) türüdür. Kaynak ve dren terminalleri arasındaki akım akışını kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanarak çalışırlar. N-Kanal MOSFET'ler, akım akışını sağlamak için kapı terminaline negatif yüklü bir kontrol sinyali kullanmalarıyla karakterize edilir.

Bir N-Kanal MOSFET seçerken, mühendislerin drenaj-kaynak voltajı (VDSS), kapı-kaynak voltajı (VGSS), maksimum drenaj akımı (ID), güç dağılımı (PD) ve termal direnç gibi parametreleri göz önünde bulundurması gerekir. Bu parametreler, MOSFET'in gerekli yükü kaldırabilmesini ve devrenin çalışma koşulları içinde verimli bir şekilde çalışabilmesini sağlamada kritiktir.

Paketleme seçimi (örneğin, 2N7000 serisi için TO-92 veya SOT-23 gibi) de uygulamada önemli bir rol oynar, termal yönetim ve fiziksel alan kısıtlamaları gibi faktörleri etkiler. Ayrıca, statik akım taşıma kaynağı-drenaj direnci (RDS(on)), güç verimliliği için önemli bir düşünce olup, daha düşük değerler işletim sırasında daha az güç kaybı anlamına gelir.

N-Kanal MOSFET'ler, güç yönetimi ve düzenlemesinden sinyal işlemeye kadar geniş bir uygulama yelpazesinde kullanılır. Hızlı geçiş yapabilme ve önemli güç seviyelerini verimli bir şekilde yönetme yetenekleri, onları modern elektronik tasarımda vazgeçilmez kılar.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 5/10
  • Hobi: 9/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components