BS170: N-चैनल MOSFET, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

BS170 एक N-चैनल MOSFET है जिसे onsemi की प्रोपराइटरी हाई सेल डेंसिटी DMOS तकनीक का उपयोग करके बनाया गया है। इस घटक को कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, साथ ही यह मजबूत, विश्वसनीय और तेज़ स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। यह 500 mA तक निरंतर ड्रेन करंट को संभालने में सक्षम है, जिससे यह अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त है, विशेष रूप से वे जिन्हें कम वोल्टेज और कम करंट की आवश्यकता होती है। उदाहरणों में छोटे सर्वो मोटर नियंत्रण, पावर MOSFET गेट ड्राइवर और विभिन्न स्विचिंग अनुप्रयोग शामिल हैं।

उच्च-घनत्व सेल डिज़ाइन की विशेषता के साथ, BS170 कम RDS(ON) प्रदान करता है, जो कुशल बिजली प्रबंधन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए फायदेमंद है। इसकी उच्च संतृप्ति वर्तमान क्षमता और वोल्टेज-नियंत्रित छोटे सिग्नल स्विच कार्यक्षमता इसे डिजाइनरों के लिए एक बहुमुखी विकल्प बनाती है। इसके अतिरिक्त, BS170 को बीहड़ और विश्वसनीय के रूप में जाना जाता है, जिसमें उच्च संतृप्ति वर्तमान क्षमता होती है, जो इसे मांग वाले वातावरण के लिए एक ठोस विकल्प बनाती है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS): ±20V
  • ड्रेन करंट - निरंतर (ID): 500mA
  • ड्रेन करंट - स्पंदित: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)): 1.2Ω से 5Ω
  • गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 0.8V से 3V
  • अधिकतम बिजली अपव्यय: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • ऑपरेटिंग और स्टोरेज तापमान रेंज: -55°C से 150°C

BS170 डेटाशीट

BS170 डेटाशीट (PDF)

अनुप्रयोग

  • छोटे सर्वो मोटर नियंत्रण
  • पावर MOSFET गेट ड्राइवर
  • विभिन्न स्विचिंग अनुप्रयोग

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

BS170 जैसे फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FETs) अर्धचालक उपकरण हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक्स में सिग्नल स्विच करने और बढ़ाने के लिए उपयोग किया जाता है। N-चैनल MOSFET, एक प्रकार का FET, को ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच करंट संचालित करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जब गेट टर्मिनल पर सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है। यह N-चैनल MOSFETs को उच्च दक्षता वाले स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है।

N-Channel MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS), ड्रेन करंट और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)) जैसे मापदंडों पर विचार करना चाहिए। ये पैरामीटर किसी दिए गए अनुप्रयोग में वोल्टेज और धाराओं को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही इसकी दक्षता और थर्मल प्रदर्शन को निर्धारित करते हैं।

BS170, अपने कम RDS(ON) और उच्च संतृप्ति धारा क्षमता के साथ, विशेष रूप से कम वोल्टेज, कम धारा अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। इसका मजबूत और विश्वसनीय डिज़ाइन विभिन्न परिस्थितियों में स्थिर प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। इंजीनियरों को MOSFET की थर्मल विशेषताओं पर भी विचार करना चाहिए, जिसमें अधिकतम बिजली अपव्यय और थर्मल प्रतिरोध शामिल है, ताकि निर्दिष्ट तापमान सीमा के भीतर विश्वसनीय संचालन सुनिश्चित हो सके।

संक्षेप में, BS170 N-चैनल MOSFET प्रदर्शन, विश्वसनीयता और दक्षता का संतुलन प्रदान करता है, जिससे यह विभिन्न प्रकार के एप्लिकेशन्स के लिए एक आकर्षक विकल्प बन जाता है। इसका चयन एप्लिकेशन की विद्युत और थर्मल आवश्यकताओं के गहन मूल्यांकन पर आधारित होना चाहिए।

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