2N7000: N-चैनल MOSFET, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000 एक N-चैनल MOSFET है जिसे onsemi द्वारा उच्च सेल घनत्व, DMOS तकनीक का उपयोग करके विकसित किया गया है। यह घटक विश्वसनीय और तेज़ स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करते हुए कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह विशेष रूप से कम वोल्टेज और कम करंट की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जिसमें छोटे सर्वो मोटर नियंत्रण, पावर MOSFET गेट ड्राइवर और अन्य स्विचिंग अनुप्रयोग शामिल हैं।

डिवाइस में एक उच्च-घनत्व सेल डिज़ाइन है जो इसके कम RDS(on) में योगदान देता है, जिससे यह बिजली प्रबंधन कार्यों के लिए एक कुशल विकल्प बन जाता है। वोल्टेज-नियंत्रित छोटे सिग्नल स्विच के रूप में कार्य करने की इसकी क्षमता विभिन्न सर्किट डिज़ाइनों में इसकी बहुमुखी प्रतिभा को जोड़ती है। 2N7000 श्रृंखला अपनी मजबूती और विश्वसनीयता के साथ-साथ उच्च संतृप्ति करंट क्षमता के लिए जानी जाती है, जिससे यह प्रदर्शन और स्थायित्व की तलाश करने वाले डिजाइनरों के लिए एक पसंदीदा विकल्प बन जाती है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS): ±20V (निरंतर), ±40V (गैर-दोहराव)
  • अधिकतम ड्रेन करंट (ID): 200mA (निरंतर)
  • बिजली अपव्यय (PD): 400mW
  • थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश (RθJA): 312.5°C/W
  • गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 0.8V से 3V
  • स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)): 1.2Ω से 5Ω
  • इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss): 20pF से 50pF

2N7000 डेटाशीट

2N7000 डेटाशीट (PDF)

अनुप्रयोग

  • छोटी सर्वो मोटर नियंत्रण
  • पावर MOSFET गेट ड्राइवर
  • विभिन्न कम-वोल्टेज, कम-करंट स्विचिंग एप्लिकेशन

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जिनका व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में संकेतों को स्विच करने और बढ़ाने के लिए उपयोग किया जाता है। वे सोर्स और ड्रेन टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल MOSFETs को करंट प्रवाह को सक्षम करने के लिए गेट टर्मिनल पर नकारात्मक रूप से चार्ज किए गए नियंत्रण संकेत के उपयोग की विशेषता है।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS), अधिकतम ड्रेन करंट (ID), बिजली अपव्यय (PD), और थर्मल प्रतिरोध जैसे मापदंडों पर विचार करना चाहिए। ये पैरामीटर यह सुनिश्चित करने में महत्वपूर्ण हैं कि MOSFET आवश्यक लोड को संभाल सकता है और सर्किट की परिचालन स्थितियों के भीतर कुशलता से काम कर सकता है।

पैकेजिंग का चुनाव (जैसे 2N7000 श्रृंखला के लिए TO-92 या SOT-23) भी अनुप्रयोग में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो थर्मल प्रबंधन और भौतिक स्थान की बाधाओं जैसे कारकों को प्रभावित करता है। इसके अतिरिक्त, स्थैतिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(on)) बिजली दक्षता के लिए एक महत्वपूर्ण विचार है, क्योंकि कम मानों के परिणामस्वरूप ऑपरेशन के दौरान कम बिजली की हानि होती है।

N-चैनल MOSFETs का उपयोग पावर प्रबंधन और विनियमन से लेकर सिग्नल प्रोसेसिंग तक, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जाता है। दक्षता बनाए रखते हुए तेजी से स्विच करने और महत्वपूर्ण शक्ति स्तरों को संभालने की उनकी क्षमता उन्हें आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन में अपरिहार्य बनाती है।

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